功能描述：MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：675pF @ 75V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4.1W (Ta)

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：63 毫欧 @ 5A, 10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-223-4

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

标准包装：2,500

AOI

AOI11S60

AOI1N60

AOI1N60L

AOI208

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